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SIDAC - Bidirectional Thyristor Diodes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(For Pulse Generating and Switching Applications) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Storage Temperature: -30° to +125°C Junction Temperature: +125°C |
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DESCRIPTION: The SIDAC is a silicon bilateral voltage triggered switch with greater power handling capabilities than standard DIACs. Upon application of a voltage exceeding the SIDAC breakover voltage point, the SIDAC switches on through a negative resistance region to a low on-state voltage. Conduction will continue until the current is interrupted or drops below the minimum holding current of the device. |
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